Diodes Gunn TPE

Diodes Gunn
TPE cherchant à expliquer que le dispositif à effet Gunn est parmi les successeurs probables des klystrons pour la production des hyperfréquences en laboratoire.
№ 31438 | 2,545 mots | 0 sources | 2015 | MA
Publié le juil. 13, 2015 in Electronique , Sciences , Physique
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Résumé:

Une " diode Gunn " est un dispositif à semi-conducteur largement utilisée dans les sources des micro-ondes et des ondes centimétriques en raison de sa propriété d'osciller à des fréquences élevées. Les Diodes Gunn sont fabriquées à partir de matériaux semi-conducteurs qui présentent l'effet de transfert d'électrons (à Gap direct), ce qui donne lieu à une résistivité différentielle négative qui se produit quand une tension, qui est au moins égale à la tension de seuil pour un matériau donné, est appliquée à un échantillon convenablement préparé d'une telle matière.

I. Définition et Historique
II. Physique du processus
III. Techniques de Fabrication
IV. Principe de fonctionnement
V. Les applications des diodes Gunn

Extrait du document:

Parmi les nombreuses techniques utilisées pour la fabrication des diodes Gunn, les plus courantes sont basées sur le processus dissipateur de chaleur intégré (IHS) ou le processus flip-chip. Dans le processus IHS, le dissipateur thermique est formé comme une partie intégrante de la diode. Le côté plaquette avant est métallisé et plaqué avec du cuivre, de l'argent ou de l'or sur une épaisseur de plusieurs milliers d'un pouce. Le substrat est chimiquement ou mécaniquement amincie à une épaisseur de 10 µm à 15 µm. Ensuite, des contacts ohmiques sont métallisés et des techniques photorésistantes standards sont utilisées pour définir les mesas. Des puces individuelles sont ensuite montées dans des emballages standards. Dans le processus flip-chip les mesas sont définies sur le côté épitaxiale.

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