Simulation de diodes Schottky en technologies planaire et JBS Travaux pratiques

Simulation de diodes Schottky en technologies planaire et JBS
Travaux pratiques analysant un composant particulier des structures PN, la diode Schottky SiC, par rapport à deux types de technologies existantes : planaires et JBS. (pdf)
№ 29917 | 2,410 mots | 0 sources | 2013 | FR
Publié le juil. 28, 2013 in Sciences , Electronique
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Résumé:

Simulation sur le logiciel Sentaurus TCAD de diodes schottky de technologies planaire et à caissons (JBS) , pour mettre en évidence les effets de la variation du dopage et des dimensions sur la répartition du champ électrique et des relations de courant et tension.

Dans la fabrication de composants électroniques, plusieurs paramètres vont influencer sa performance : le choix des semiconducteurs et les dopages, les techniques de fabrication et la géométrie des structures.
Ayant étudié dans les travaux précédents le rôle des différents matériaux et des procédés dans le fonctionnement de structures PN, on s'intéresse dans ce travail pratique à analyser un composant particulier, la diode Schottky SiC, par rapport à deux types de technologies existantes : planaires et JBS.

1. Structure planaire
2. Structure JBS à un caisson
3. Structure JBS à deux caissons
4. Résultats et conclusions

Extrait du document:

On s'intéresse aux courbes Id-Vd générées avec quelques unes des structures précédentes en polarisation directe et inverse.
La figure 12 montre la courbe de la diode JBS avec un caisson dopé à 1017at.cm-3 de 5μm de longueur. On remarque que la tension de seuil n'a pas changé par rapport à la structure planaire, donc c'est à nouveau environ de 2.2V.
La résistance en série a légèrement augmenté ; la lecture de la case Inverse Slope affiche 1.44x105 V/A.μm-1.
La figure 13 représente le comportement en polarisation inverse.
On a une pente inverse dans la section entre les deux points de 5.56x1012 V/A.μm-1, plus élevée que celle de la figure 4.
Le courant de fuite est de 1x10-17 A.μm-1, valeur inférieure à celle de la diode planaire.
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